福建华佳彩获得改进曝光机光刻精度的掩膜版专利能确保有足够大的space来提高光刻精度

  金融界2024年11月8日音讯，国家知识产权局信息数据显现，福建华佳彩有限公司获得一项名为“一种改进曝光机光刻精度的掩膜版”的专利，授权公告号 CN 221960404 U，请求日期为2024年1月。

  专利摘要显现，本实用新型供给了一种改进曝光机光刻精度的掩膜版，所述光刻掩膜版由基板、镀层、薄膜和结构构成， 所述结构围设于所述基板的下方，所述镀层和薄膜坐落所述结构内部，且顺次设置于所述基板的下方，所述镀层由若干遮光区和透光区顺次替换摆放构成，所述遮光区的宽度为L,所述透光区的宽度为D，光刻后构成的金属线宽为l,金属线距为d,其间L‑l＝‑0.6um，D‑d＝0.6um。本实用新型选用Mask(掩膜版规划尺度)‑ADI(光刻工艺后线um的弱曝规划方法，能确保有足够大的space来提高光刻精度，简略便利，成本低。