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近日有消息称，前vivo中国区市场销售副总裁李景汶因个人原因离职，接任人选暂未公布，其在职期间向中国区总裁程刚汇报。
据悉，李景汶在vivo任职期间，推动了多个重要市场策略，vivo中国区市场业务取得了显著的增长，堪称公司发展的关键人物。其离职引发行业关注。
公开资料显示，李景汶最后一次公开露面于2023年11月17日，另有知情的人偷偷表示，李景汶于2014年校招入职vivo，在vivo共10年左右。
近日，市场调查与研究机构发布的最新报告数据显示，在2024年第二季度中国手机激活（开通）量排名中，vivo以1195.06万部、市场占有率为17.93%排名第一，稳居上半年冠军；小米手机激活1063.16万部，以15.95%的市场占有率排行第二。苹果以1017.73万部激活量位居第3，虽然比去年同期下降1.88%，也比第1季减少近40万部，排名仍维持第3。
报道指出，第二季度激活量位居前3的vivo、小米和苹果，在5000元以下价位都拥有热销产品，尤其vivo和小米，1000元价位产品很多，丰富的价格体系让它们的产品销量大增。
人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等应用推动了大算力芯片的需求激增，而随着摩尔定律趋近极限，先进封装正慢慢的变成为提升芯片性能的关键。当前2.5D、3D-IC、异构集成、Chiplet等诸多先进封装技术帮助芯片设计人员在尺寸更小、功耗更低的芯片中提供更多功能，实现性能的飞跃。然而，这些技术进步也带来了前所未有的挑战，它们对现有的制造工艺、设备和材料提出了更高的要求。
越来越多的先进封装涉及处于晶圆制造（“前道”）和芯片封测（“后道”）之间被称为“中道”的工艺，包括重布线(RDL)、凸块制作(Bumping)及硅通孔(TSV)等工艺技术，涉及与晶圆制造相似的光刻、显影、刻蚀、剥离等工序步骤。其中，光刻技术起到了至关重要的作用，光刻设备已大范围的应用于先进封装领域的倒装芯片结构封装的Bumping、RDL、2.5D/3D封装的TSV等的制作之中。
如今，在板级封装及高端IC载板(Substrate)制造领域，直写光刻已经全面取代了传统光刻；在高端显示、先进封装以及第三代半导体等领域，直写光刻也开始崭露头角。在先进封装大潮之下，国内直写光刻技术龙头芯碁微装正以其卓越的性能和创新的技术解决方案，为行业带来突破性的变革。
以去年以来非常关注的台积电CoWoS为例，它是一种2.5D封装技术，由CoW和oS组合而来。先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。该技术的核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层，以实现多颗芯片互联。在硅中介层中，台积电使用微凸块（μBmps）、硅通孔（TSV）等技术，代替传统引线键合，用于裸片间连接，大幅度的提升了互联密度和数据传输带宽。根据采用的中介层不同，台积电把CoWoS封装技术分为3种类型：CoWoS-S（Silicon Interposer）、CoWoS-R（RDL Interposer）和CoWoS-L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）。
例如CoWoS被用来生产Nvidia、AMD、Amazon和Google等公司的高性能AI芯片，随着AI芯片的晶体管数量持续不断的增加，且因为是用于数据中心和云计算，对尺寸要求不高，因此，未来的AI芯片很可能会慢慢的大。目前台积电正在通过CoWoS封装技术，开发比AMD的Instinct MI300X和英伟达B200面积更大的AI芯片，封装面积已经达到120mmx120mm。
芯碁微装泛半导体销售总监潘昌隆指出，当前台积电主要使用的是CoWoS-S，随着大面积芯片设计越来越多，中介层越来越多，掩模尺寸慢慢的变大，当中介层达到台积电最大reticle的四倍以上（1X reticle≈830mm²），高于其当前中介层的3.3倍，就将转向CoWoS-L。
数据显示，理论上EUV reticle限制为858mm²（26 mm x 33 mm），因此通过拼接六个掩模将实现5148 mm²的SiP。如此大的中介层不仅可以为多个大型计算小芯片提供空间，还可以为12堆栈HBM内存留出足够的空间，这意味着12288位内存接口带宽高达9.8 TB/秒。而构建5148 mm² SiP是一项极其艰巨的任务，目前Nvidia H100加速器，其封装跨越一个中介层多个掩模大小，成本已经高达30000 美元。因此，更大、更强大的芯片可能会进一步推高封装成本。
除了CoWoS-L，一些芯片设计公司也开始研究晶圆级系统(System on Wafer，SoW)，这类设计将整个晶圆作为一个封装单元，逻辑、存储与控制相关的芯片都需要通过封装来集成，RDL的布线将会相当复杂，且RDL层数将会越来越高。
对于这两大先进封装技术走向，潘昌隆表示，更大面积的芯片封装将对传统步进式光刻机的使用带来诸多挑战。
一是掩模（mask）拼接问题。随着封装面积的增加，单一片掩模无法覆盖整个芯片，需要使用多个掩模并进行拼接。这增加了制造过程中的复杂性，可能导致拼接处的对准误差，影响最终产品的性能和良率。而且封装面积的增大可能会增加生产过程中的翘曲和缺陷，导致良率下降。特别是在掩模拼接区域，任何微小的误差都可能影响整个芯片的性能。而随着芯片集成化和大尺寸晶圆的使用，晶圆翘曲问题也愈发严峻，已成为影响先进封装可靠性的主要挑战之一。
二是设计复杂度提高，生产效率下降。大尺寸封装设计需要更复杂的布线和层叠技术，如RDL层的布线将会相当复杂，且层数将会慢慢的变多，这对设计工作和制造工艺都带来了极高的挑战。尤其大尺寸封装设计需要在光刻机中切换掩模来进行同层线路的曝光，这种频繁的掩模切换会降低生产的效率，拉长生产周期。
三是设备局限性。传统的步进式投影光刻设备掩模尺寸大多是26×33mm²，可能没有经验应对大尺寸封装的翘曲等问题。大尺寸封装的光刻需要设备具备处理更大尺寸晶圆/载板和应对翘曲等问题的能力。
潘昌隆表示，除了CoWoS和SoW等晶圆级封装，FoPLP封装技术也开始逐渐发力，步进式光刻机在应对这类大面积封装同样力不从心，而直写光刻技术将会是最佳选择。
在泛半导体领域，根据是否使用掩模版，光刻技术主要分为掩模光刻与直写光刻。掩模光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。直写光刻也称无掩模光刻，是指计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，无需掩模直接进行扫描曝光。过去很长一段时间，掩模光刻技术是光刻工艺路线中的最佳选择；但随着成本日益高涨，未来，无掩模直写光刻技术或将凭借成本优势及行业布局逐渐受到行业关注。尤其在先进封装领域，直写光刻技术以其独特的优势和广泛的市场潜力，正逐渐成为推动行业创新的关键力量。
芯碁微装作为国内直写光刻设备的细分龙头，随着国内中高端PCB与 IC载板需求的增长及国产化率需求提升，正不断加快在载板、先进封装、新型显示、掩模版制版、功率分立器件、光伏电镀铜等方面的布局。潘昌隆表示，在先进封装领域，芯碁微装直写光刻设备中除了无掩模带来的成本及操作便捷等优势，在RDL、互联、智能纠偏、适用大面积芯片封装等方面都很有优势，设备在客户端进展顺利，并已经获得大陆头部先进封装客户的连续重复订单。
潘昌隆总结了直写光刻技术应用于先进封装的几大优势。首先，掩模的制作往往耗时且成本高昂，直写光刻技术不使用传统步进式光刻所需的掩模，通过数字化的方式直接在硅片上进行图案曝光，大大缩短了产品从设计到市场的时间，并显著降造成本。并且直写光刻技术能够适应复杂的RDL设计和多层封装结构，这在传统的步进式光刻中可能难以实现，客户可以更灵活地调整和优化设计，适应不同需求，特别是在研发或样品开发阶段。
其次，直写光刻技术减少了掩模交换和拼接的需求，简化了生产流程，从而提高了生产效率。尤其随着封装面积的增大，如CoWoS-L和FoPLP等技术的发展，直写光刻技术能够有效应对大尺寸封装的挑战。它能够处理超出传统掩模尺寸的大面积封装设计，避免了掩模拼接问题，提高了生产效率。同时直接光刻自由多分割和智能涨缩模式应对板级封装中大尺寸多增层曲翘变形有着极佳的品质。
最后，对于当前追求国产化和减少对外部依赖的市场需求，大陆在先进制程受限的情况下，正在加大力度发展类CoWoS、Chiplet等先进封装以弥补性能差距，在此背景下，直写光刻技术提供了一种自主可控的解决方案，有助于降低供应链风险，增强国内产业的竞争力。
“随着高性能大算力芯片要求不断提高，先进封装技术如CoWoS-L和FoPLP的需求将持续增长。随着大尺寸的RDL与SOW等未来产品的出现，直写光刻技术凭借其在大尺寸封装领域及成本方面的优势，将迎来广阔的市场空间。”潘昌隆表示，目前芯碁微装设备已实现低至2um的线宽距，涉及工艺包括垂直布线TSV、水平布线Bumping的RDL环节等，以灵活的数字掩模和高良品率满足了先进封装客户的要求，目前已有多台设备交付客户端，产品的稳定性和功能已经得到验证。
值得注意的是，除了光刻制程，在晶圆切割、智能纠偏领域，直写光刻也展现出显著的技术优势。
潘昌隆指出，在芯片制造过程中，需要采用切割工艺对晶圆进行划片，然而传统的金刚石切割、砂轮切割或激光切割会对晶圆造成较为严重的损伤，导致晶圆应力、碎裂、芯片性能下降等问题。目前在先进封装领域，高端的客户开始采用深硅刻蚀(DRIE)工艺的等离子切割来取代传统切割方法。不过DRIE需要一道曝光制程，但是此道曝光工艺不复杂，直写光刻技术能够直接在硅片或其他基底材料上绘制出精确的切割道，这些图案可以是简单的直线、曲线或其他复杂几何形状，并且能够实现更平滑和更精确的切割边缘，减少刀切或激光切割等传统切割方法可能引入的应力和损伤。此外，由于直写光刻使用的是数字光束和虚拟掩模，它不需要为每个不同的切割图案制作和更换物理掩模，这大大节省了成本和时间。
另一个CoWoS典型场景是AI芯片中集成的多个HBM，需要将多个DRAM芯片进行堆叠，形成大容量的存储单元。直写光刻技术在此过程中可以用于精确地绘制切割道，以便进行芯片的切割和堆叠。相比传统的切割方式，不仅提高了切割的精度，还有助于实现更紧密的芯片堆叠，从而提升存储密度和性能。此外，直写光刻技术还可以确保切割后的芯片表面平整度高，这对于后续的混合键合（hybrid bonding）等工艺至关重要。
“直写光刻技术在这两种切割场景中的应用，不但可以提高切割的精度和质量，还可以减少生产成本和时间，提高整体的生产效率。”潘昌隆强调，“通过直写光刻技术，可以实现更灵活的设计调整和更快速的产品迭代，满足市场对高性能、高密度芯片的需求。”
潘昌隆解释，由于目前在先进封装的晶圆重构封装中存在三大技术难点，第一是芯粒偏移(Die Shift)，这是指在芯片转移过程出现了偏位、涨缩等情况从而导致实际的芯粒位置和预设位置产生了偏差，进而需要纠偏；第二是翘曲(Warpage)，这是由EMC材料和硅片的热膨胀系数不匹配而产生的形变，会导致曝光不良；第三是残胶(Residue)。对于芯粒的偏移问题，直写光刻技术可以通过更改布线或PI层或凸点纠偏的图形矫正以保证RDL层图形的精度。此外，在FoWLP的贴片工艺中，基于直写光刻的PI纠偏方案可以很好地缩小贴片机的贴片误差。因此，在晶粒偏移、衬底翘曲、基片变形等领域，直写光刻技术的自适应调整能力，使之具有良率高、一致性好的优点。
由于直写光刻相较于步进式光刻的优势主要体现在无需物理掩模就可实现实时图案调整、提升生产效率与良率等方面，因而能够适应多层和大尺寸封装的复杂纠偏需求。其灵活性和高精度纠偏能力，简化了生产流程，降低了成本，并支持了先进封装技术的快速发展，满足市场对高性能、高密度芯片的需求。
根据Yole和集微咨询的预估，2022-2026年全球先进封装市场规模将从379亿美元增长至482亿美元，CAGR达到6.2%。未来先进封装技术在整个封装市场的占比正在逐步提升，3D封装、扇型封装(FOWLP/PLP)、微间距焊线技术，以及系统级封装(SiP)等技术的发展成为延续摩尔定律的重要途径。
同时，Yole也预测，在IC先进封装领域内，激光直写光刻设备将在未来三年内逐步成熟并占据一定市场份额，具有良好的市场应用前景。诚然，直写光刻技术在先进封装领域开始崭露头角，但目前距离大规模量产使用仍需要克服一系列技术和市场方面的挑战。
潘昌隆指出，首先，随着先进封装技术的发展，对光刻精度的要求越来越高。直写光刻技术需要进一步提升其解析度，以满足更小线宽和更高密度的封装需求。其次，直写光刻在良率和产速(UPH)等方面尚不能完全与步进式光刻媲美，而良率的瓶颈主要在于市场上仍然没有专门为直写光刻开发的光刻胶以及配套的光源。传统的光刻胶和介质层材料是为步进式光刻机设计的，直写光刻技术需要与这些材料更好地匹配，以确保光刻质量和效率。最后是许多封装客户对直写光刻技术仍然缺乏了解，需要更多的市场教育和技术普及来提高客户的认知度和接受度，并且如何在市场竞争中突出芯碁微装的独特优势并赢得客户信任也是一大挑战。
随着国内半导体产业在先进制程领域发展受限，对先进封装的需求与日俱增，目前大陆在类CoWoS等2.5D、3D封装领域的研发正在加速挺进。芯碁微装在推动先进封装领域的国产化方面，制订并采取了一系列切实有效的计划和措施。
“本土化研发是芯碁微装的核心战略之一。公司建立了强大的本土研发团队，专注于技术创新和产品开发，确保技术能够及时响应国内客户的需求。通过本土化研发，芯碁微装能够快速适应市场变化，推动技术进步。”潘昌隆表示，“在提升直写光刻良率、生产效率等方面，芯碁微装也与国内上下游产业链建立了密切的合作。例如在配套的光刻胶上，芯碁微装正与日系、大陆的i线、KrF光刻胶厂商密切合作，进行生产验证、配方调整等工作，提升量产可行性。与此同时，芯碁微装还与国内封装厂、设计公司和晶圆厂等建立了紧密的合作关系，了解客户需求和使用反馈，为他们提供定制化的解决方案。”
值得一提的是，芯碁微装致力于提高零部件的国产化比例，目前90%以上的零部件已经实现国产化。这不仅减少了对进口零部件的依赖，增强了供应链的稳定性，还降低了生产成本，提高了产品的市场竞争力。
随着技术的不断成熟和市场的逐步认可，整个生态链将被重塑，在生态链的各个环节，从材料供应商到设备制造商，再到最终的封装企业，都开始积极适应这一变革，探索与直写光刻技术相适应的新产品、新工艺和新解决方案。这种跨行业、跨领域的合作，将进一步加速直写光刻技术的创新和应用。
相信直写光刻不仅将在先进封装领域扮演越来越重要的角色，而且将成为重塑国内半导体产业链结构和提升产业竞争力的重要推手。
据市场研究机构TrendForce研究，第三季PC代工厂与DRAM供应商的合约大多在7月中旬敲定，价格涨幅达8-13%，虽然涨幅低于第二季15-20%，但仍超过最初预期的3-8%。
7月份8GB双倍数据速率 (DDR) 4 模块的平均价格为 21.0美元，较 6月份上涨11%，而 8GB DDR5模块的平均价格上涨 13%至 27.0美元。DDR5模块目前比DDR4模块的价格溢价29%，高于第二季度的26%。
TrendForce将DRAM固定价格持续上涨归因于多种因素，尽管PC需求低于预期，但美国服务器OEM的需求增加以及三星电子和 SK 海力士增加高带宽内存 (HBM) 产量导致DDR5产品供应减少是重要因素。
此外，第二季度服务器DRAM市场加速向DDR5产品转换，导致DDR4库存增加，限制了价格上涨。
服务器市场（尤其是美国市场）对DRAM需求有重大影响。即使 PC需求较弱，服务器需求增加也会推高价格。服务器向DDR5的过渡可能会导致DDR4和DDR5模块的库存水平和定价发生变化。更广泛的经济状况，包括供应链中断、制造成本和全球贸易动态，也会影响 DRAM价格。通货膨胀和货币汇率可能会影响电子元件的成本，从而影响消费者的最终价格。
针对英伟达AI芯片被曝推迟发布的消息，8月4日，英伟达方面回应称：“正如我们之前所说，Hopper的需求非常强劲，Blackwell的样品试用已经广泛开始，产量有望在下半年增加。除此之外，我们不对谣言发表评论。”
此前，消息称，由于设计缺陷，英伟达下一代人工智能旗舰芯片的出货时间将推迟至少三个月，这将影响到微软、谷歌以及脸书母公司“元”等英伟达大客户。
按照原计划，台积电将在今年第三季度开始大规模生产Blackwell芯片，并从第四季度开始交付给英伟达。
黄仁勋曾在5月份表示，公司计划在今年晚些时候出货大量Blackwell。
这次的设计缺陷问题，或将使Blackwell主要芯片（B200和GB200）延迟3个月或更长时间，Blackwell大量生产延迟至明年Q1。因为在收到芯片后，云提供商通常需要大约三个月的时间才能将其大规模集群投入运行。
此外，英伟达的一宗并购同样引起了司法部的关注。据报道，美国司法部律师正以反垄断为由对英伟达收购以色列AI初创企业Run:ai一事进行调查。两家公司曾在今年4月底宣布了这笔交易，但没有透露价格，不过有外媒报道称交易金额为7亿美元。
AI GPU需求庞大，台积电先进封装CoWoS产能苦苦追赶需求，仍无法取得平衡，传英伟达（NVIDIA）近日找上英特尔进行先进封装；供应链厂商指出，台积电CoWoS-S与英特尔Foveros封装技术相似，能快速提供封装产能。尽管英特尔正处转型阵痛期，IFS（英特尔晶圆代工服务）逐步斩获成效，英特尔目前除高通、微软等芯片客户外，先进封装也获得Cisco、AWS等厂商青睐。
英特尔IFS取得不小的进展，对台厂供应链而言，是机会也是危机。扩大委外下单有利于台积电取得更多先进制程的晶圆代工机会。不过在芯片业务上，英特尔透露，消费性及企业支出仍有杂音，因此，ODM／OEM厂商及IC设计对于出货量将有影响；另外，世芯-KY为英特尔打造Gaudi 3加速器，未来营收认列规模恐不如预期。
IDM 2.0战略之下，英特尔开放晶圆外包及代工，并成立独立的IFS代工服务；在今年年初，英特尔更以首个系统级AI代工服务，获得微软150亿美元之晶圆代工大单，预计将采用Intel 18A芯片制程，剑指2030年成为全球第二大晶圆制造商。
外界分析，微软此一动作，即是为了减少对台积电的过度依赖。据悉，当时包含英伟达在内的芯片客户，也与英特尔进行接洽；其中，英特尔灵活的代工策略，能够依照客户需求，提供包含先进封装、软体和小芯片等不同服务，获得芯片厂商喜爱。
半导体厂商透露，美国也开始针对先进封装领域，设置专门资金加大投资。业界强调，此举凸显先进封装将是下一个各国争抢产能的关键。
去年11月，由美国商务部国家标准技术研究院（NIST）发布《国家先进封装制造计画愿景》报告中就指出，先进封装技术是半导体制造的关键技术之一；另外，美国商务部也将投资约30亿美元推进国家先进封装制造计划。
英特尔是除Amkor（安靠）外的美国先进封装本土厂商。先进封装主要重点强调互连密度、功率效率和可扩展性三个面向，从Foveros到混合键合（Hybrid bonding）技术，英特尔逐渐实现凸点间距微缩，使系统具有更高的电流负载、更佳的散热性能。此外，去年5月英特尔的先进封装技术蓝图，更计划将传统基板转换为更先进的玻璃材质基板。（来源： 工商时报）
英特尔最新的财报是该公司陷入死亡漩涡的又一次急转直下。从表面上看，这只是一大堆坏消息，自发布以来，网络上一直充斥着对英特尔的抨击。
从收入角度来看，英特尔的营收符合预期，但128亿美元低于130亿美元的中间预期。
毛利率不及预期。英特尔的毛利率为35.4%，低于预期的40.2%，毛利润为45亿美元，而预期的中点毛利润为52亿美元。虽然毛利润减少7亿美元意义重大，但英特尔目前正处于困境中；英特尔已明确表示，2024年不是复苏之年。
工厂之间的产品内部流动对结果产生了负面影响，但将带来长期利益——这表明英特尔现在已经准备好做出艰难的决定。
该公司表示：“第二季度业绩受到人工智能个人电脑产品加速增长带来的毛利率阻力、非核心业务相关费用高于正常水平以及闲置产能的影响。”
我会让人们以他们想要的方式做出回应，但从我的角度来看，这次失利并没有改变英特尔目前的处境。该公司之前陷入了死亡漩涡，现在仍然处于死亡漩涡中。
英特尔当前的处境并非源于公司的短期战略，而是由于历史性决策所带来的后果。
英特尔是一家制造公司，需要大量利润来资助维护和扩大其制造资产所需的资本投资。
从制造技术的角度来看，英特尔选择了错误的道路，它认为即使在不使用其他公司（尤其是台积电）决定使用的DeepUV工具的情况下，也可以保持其技术领先地位。
尽管IFS收入有所增加，但外部IFS收入仍处于萌芽阶段。英特尔透露，外部交易渠道价值为150亿美元，意义重大，尽管这对收入来说很难解决。
即使将内部和外部IFS收入结合起来，与Foundry这个500磅重的体量仍然有距离。
从产品角度看，英特尔拥有业内最大的优势。客户端业务为重要的PC细分市场提供CPU支持。缺点是客户端部门过于强大，主导了其他部门。
这是一个典型的企业问题：尽管企业拥有向其他市场领域注资的资源，但却被锁定在单一类别中。
英特尔经常试图将业务转移到其他领域，但都以失败告终。该公司完全没有或未能解决数据中心市场从CPU向GPU的转型问题。
客户端计算集团的业务份额一直以来都相当稳定，这也意味着英特尔的命运随着PC市场以及数据中心市场的CPU份额而起伏。
情况很糟糕，但实际上与上一季度相比没有变化（几百万美元以内）。那么，市场的反应是否脱离了现实？
帕特·基辛格在一份内部备忘录中指出，员工总数和业绩已经出现偏差，有必要采取行动。
“我们的成本太高，利润太低”，并解释了裁员的必要性。他指出，英特尔2020年的年收入比上一年高出约240亿美元，但员工人数却增长了10%。
未能如愿的结果和裁员专家麦肯锡及其朋友的来访很可能加速了角落办公室里已经酝酿的事件。现在是做出艰难决定的时候了：
英特尔将在未来6个季度内裁员15%，这将大大降低运营成本。资本支出也将减少，这可能意味着一些投资活动将被推迟。固定销售成本将减少10亿美元，股息暂时将暂停。
下图显示了我们对员工人均收入和营业利润的分析，以及裁员计划的预期效果。我们假设收入增长与市场保持一致，这当然可能面临上行和下行的挑战。
预计裁员将使英特尔2024年的资本支出达到200亿美元，这在某种程度上预示着从2023年第4季度到2024年第4季度将下降32%，如下所示。
除了工资之外，运营成本还有其他要素，但可以肯定的是，工资是主要要素。并非所有工资都包含在运营成本中。与产品制造相关的工资包含在销售成本中。
这种差异表明还有其他因素在起作用。可能是在级别较高的员工或任职时间较长的员工中被解雇的人数较多，因为这两类员工的工资都高于平均水平。也可能是英特尔预计离职的员工比被解雇的员工多。这可以通过与解雇过程同时进行的自愿计划来实现。最后，可能会出现严重的减薪。当你处于解雇季节时，你可能会非常愿意接受减薪。
此外，运营支出的下降速度比裁员期间的普遍情况要快得多。员工离开工资单需要时间。再次，就像这里的一些交易一样，似乎公司正在采取一些措施让人们更快地离开工资单，可能以股票相关的遣散费的形式。
如果英特尔可以在一定程度上完成这一目标，并且不对收入造成太大影响，那么该公司将恢复盈利，并能够为英特尔承诺的长期资本支出做出贡献。
在电线年的资本支出预算将削减20%至260亿美元，2025年则削减至215亿美元。有趣的是，新预算以总资本支出预算和净资本支出预算的形式呈现。
随着英特尔的盈利能力从2022年开始在零线附近徘徊，该公司无法通过留存收益为IDM2.0战略的资本支出预算提供资金，而必须寻找其他方式为该计划提供资金。
由于英特尔的风险状况，银行会希望获得溢价利率，而稀释股票并让其贬值将变得更加困难。是时候发挥创造力了。
英特尔计划的第一部分很可能是出于政治目的。如果英特尔不是拜登政府2022年芯片法案的基石，那将令人惊讶。英特尔与政府之间的关系非常明显，英特尔可能非常清楚他们将从芯片法案中得到什么。
获得项目资金的先决条件是该项目是新项目并且在美国境内，但政治关系也很重要。最近，AMAT被拒绝提供资金，这可能出于多种原因。
简而言之，英特尔的IDM2.0计划与美国政府以及欧洲志同道合的政府完全一致。
英特尔计划的第二部分是在不稀释公司价值的情况下吸引股权投资者。这就是半导体联合投资计划(SCIP)。
SCIP计划提供财务灵活性和战略资金，以支持英特尔的制造和扩张计划。该计划涉及与金融公司建立战略合作伙伴关系，共同投资英特尔的半导体制造设施。这有助于英特尔管理其资本支出并在扩大生产能力的同时保持强劲的资产负债表。
与Apollo合作收购爱尔兰莱克斯利普的Fab34，与Brookfield合作扩建亚利桑那州的Ocotillo Campus。这两笔交易都涉及51/49%的所有权结构，这对英特尔有利。
这些交易，加上《芯片法案》的资金和其他补贴，是一个十足的妙招，而英特尔和帕特·基辛格并没有因此获得足够的赞誉。在英特尔缺乏资金、借贷成本高昂的情况下，SCIP兔子从帽子里抽了出来：
上图显示了对这两家工厂530亿美元投资的结果。英特尔仅用了两家工厂所需总投资的约三分之一，就获得了51%的所有权和100%的控制权。这只能看作是英特尔摆脱困境的一种非常令人印象深刻的方式。
这些交易的代价将是与两个金融合作伙伴分享制造利润——与制造战略的失败相比，这只是一个小小的代价。
英特尔仍处于死亡漩涡中，但管理层已展现出做出艰难决策的能力，并找到了为极其昂贵的晶圆厂融资的创造性方法。这非常重要，因为未来还会有更多艰难的决策。
一个关键因素是英特尔在AIPC市场以及数据中心市场的CPU和GPU部分执行公司产品战略的能力。下周的帖子将是数据中心市场的业务概述。
电子信息产业是江苏昆山的支柱产业之一，多年来，昆山的电子信息产业凭借着持续的创新投入，已经逐渐发展壮大为千亿级产业市场。
近年来，随着昆山电子信息产业累积的“家底”越来越厚，产业链的延长与融合创新正在变成这个千亿级市场的“新常态”。
在江苏昆山的一个手机摄像头生产企业中，工程师都书森正在和同事研究如何把手机镜头的“长焦”与“微距”这两个看似矛盾的功能结合在一起。为了实现这一目标，他们正在考虑把一种“液态镜片”放进手机的长焦镜头中。
昆山丘钛微电子科技股份有限公司 创新技术部光学高级工程师 都书森：我们正在进行探索，希望选取支撑力比较大，弹性比较好的材料来进行液态支撑面的平替，然后实现（镜头）大光圈。
像这样的技术研发工作，在昆山大大小小的电子信息企业中每天都在进行。从最初的引进台资企业，到逐步培育本土品牌，如今，昆山的电子信息产业涵盖了从零部件生产到整机制造的完整产业链，无论是先进的芯片研发，还是精密的显示屏制造，都展现出了极高的技术水平和市场之间的竞争力。
从第一代产品研发到现在，这家显示器企业产品的技术迭代也见证了昆山市电子信息产业的发展，创新驱动带来的技术成果转化正在随昆山新一代电子信息产业的发展加速落地。
2023年，昆山市规上电子信息产业实现产值6969.04亿元，同比增长15.6%，随着新一代电子信息技术持续不断的发展，昆山市电子信息产业与未来产业的融合进程正在加快。
在昆山的元宇宙产业园里，一位AR技术公司的负责人就向记者演示了由他们自主研发的一款AR设备，目前这款设备已经能被运用在远距离工业巡查检修等工作。在这栋建筑里，目前还有超过50家元宇宙相关企业，楼上楼下不仅是邻居，也可能是有业务交集的合作伙伴。这两年，通过结成创新联合体，产业链公司进行协同创新成了新趋势。（来源： 央视网）
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