0510-83568869
13921398638
0510-83568869
13921398638
而言，我们除了注重外观、设计、屏幕大小之外，性能当然是必然着重考虑的因素，就像一般用户买汽车，并不会选择用30万去买一个0.6排量的车子（非混/电动），所以以及软件上的驱动/系统优化所决定，其中手机处理器则扮演着一个举足轻重的角色。
1.IDM，这一模式的特点是半导体制造的关键环节都由自己完成，例如内核的开发与制造，自己同时具备设计以及生产的能力，例如Intel意法半导体、现代等等。
2.Fab，这种模式只专注于工艺的研发以及代工，就像台积电，它们不设计芯片，仅帮代工芯片。
3.Fabless，Fabless企业仅专注于IC的设计，它们把设计出来的“芯片”给Fab公司进行生产，形成产品，而随着物联网的发展，电子科技类产品更贴近于个人的需求，这便从Fabless衍生出Chipless模式，Chipless模式下的企业既不生产芯片也不销售芯片，它们只提供IP的授权，像是ARM和Imagination。
如今全世界规模较大的晶圆代工厂商有：台积电（TSMC）、三星英特尔（Intel）、Globalfoundries（GF）、台联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、意法半导体（ST）等等，但它们并不是全部都代工生产手机Soc芯片的，生产手机处理器Soc的基本集中在台积电、三星、Intel、GF这四家。
我们经常接触的高通骁龙XXX，联发科MTXXXX，麒麟XXX之类的Soc，他们没自己的晶圆生产线，通过从ARM、Imagination中购入IP授权或是指令集授权（其中高通像骁龙820则是通过获得ARM的指令集授权，再自行研发Kryo核心，而联发科/麒麟则是直接获取A72/A53一类的IP核授权），然后把这些Soc交给台积电或三星进行代工生产。
而三星Exynos则比较特殊，例如最新的Exynos 8890既有自主研发的核心，也有ARM的公版核心，则它的授权费用主要来自于ARM的指令集+IP核，费用自然比全是公版核心的联发科/麒麟要低，但Exynos也不像高通骁龙，三星有自己的晶圆生产线，无需找台积电进行代工生产。既然内核方案有了，代工商也找到了，那么就是时候进入具体的生产环节。
一颗处理器（Soc）如何诞生这样的一个过程相当复杂，难以用简单的话语表述出来，但某几个重要的步骤还是可以说一下的：
1.硅的提纯与熔炼，制成硅锭→2.硅锭切割，形成晶圆（wafer），渗入其他元素并进行氧化→3.上光阻剂，通过掩膜（mask）进行光刻→4.清除溶解的光阻剂并用化学试剂溶解曝光部分的晶圆，再清除掩膜区域的光阻剂→5.重复步骤3，形成多层立体的晶体管雏形→6.注入离子束，完成掺杂，形成P井或N井→7.表面覆盖绝缘层，留出需要通电的开孔，进行电镀铜用以填充开孔（完成晶体管的制造）→8.在晶体管之间用复合金属层进行连接，形成复杂的立体电路→9.功能性测试→10.晶圆切片，形成单个内核→11.内核封装，为内核提供电气与机械界面→12.性能测试，并进行等级分类，定义ID→13.出售
当然，一颗Soc的诞生从设计到生产环节不会如上诉的那么简单，笔者只是想让大家简单了解一下其中的重要步骤。
台积电：28nm工艺已经相当成熟早已量产，而16nm FinFET、FinFET Plus也陆续完成产能的爬坡，16nm FinFET Compact（面向低功耗Soc）也将在本季度进入量产，传说中的Helio P20采用的就是这个制程工艺。而10nm方面，台积电将在今年的第一季度完成流片，并在第四季度进入量产。（但一手消息指iPhone7的A10处理器将会全面由台积电的10nm工艺生产线生产，相信在第二季度便迈进量产阶段）而7nm预计在2018年的上半年量产、5nm工艺也已经研发了一段时间，不知道英特尔那边有什么想法呢。
三星：14nm早已量产，而10nm方面则预计在2017年初量产，而7nm制程则没有一点消息传出。
英特尔：Intel在上年11月时表示在14nm的工艺上遇到了一点困难，但现在已经恢复，而10nm的处理器预计在2017年下半年推出。反正Intel自给自足，也不为其他厂商代工，所以我们就好好等待下一代Atom处理器就行了。
Globalfoundries:14nm FinFET量产相信仍要等到今年的6月份。10nm/7nm工艺方面，Globalfoundries表示将会和IBM合作，但暂时没有量产的消息。但Globalfoundries精于制造高性能大核心，例如PC领域的以及GPU，所以手机Soc和Intel那样，我们纠结不来。总的来说，在2016年14/16nm的量产不是问题，最近更有消息指定位中端的骁龙625也用上了14nm制程。
20nm：在这个制程节点上仅有台积电正在使用（三星也有，只是用在DDR3内存制造上），而且工艺单一。在今年的Soc列表当中定位高性能的早已使用上16/14nm FinFET工艺，而兼顾性能与功耗的主流Soc依然采用良品率高，稳定性很高的28nm HPM/HPC工艺（关键是A72核心使用28nm HPM也能较好地压住功耗），所以20nm制程相信不会在2016年出现在手机Soc领域。
2016年相信会是28nm+14/16nm共存的一年，28nm依然成为主流处理器的制程节点，而旗舰处理器则会普片采用16/14nm制程，10nm制程节点的处理器预计最快要到2017年初才会亮相。另外，由于智能穿戴设备等微型便携终端的普及，不少处理器厂商已经推出专门针对这类设备的Soc，它们都会使用制程更新，主打低功耗的工艺，例如16nm FinFET Compact。
一颗好的手机处理器，并不只决定于核心架构、核心数量、主频高低、集成GPU的强弱，其发热，功耗也是我们值得考虑的问题，毕竟没人希望自己的手机是暖宝宝或者玩半天就没电的玩意，而制程工艺也决定着核心主频的高低，进而影响性能。但在相同制程节点，相同工艺的条件下，不同处理器生厂商产出的Soc也有一定的差异，因为原料的污染，加工工艺的波动，成本/淘汰率的控制都会让同制程节点/同工艺的最终产品在性能上有着较大的差异。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉
MIPI TO EDP的桥接芯片，符合MIPID-PHY 1.1, DSI 1.1 and eDP 1.3规范，
的好处呢。告诉你什么是封装封装，IC 芯片的最终防护与统整经过漫长的流程，
芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小
6 伏到30 伏，输出电流可调，最大可达 1.2 安培。根据不同的输入电压和外部器件
6 伏到30 伏，输出电流可调，最大可达 1.2 安培。根据不同的输入电压和外部器件
无线通信芯片，该芯片集成了LORA射频收发器、调制解调器和32位RISC MCU。MCU采用cortex M4，频率48mhz。LORA射频收发器
无线位RISC MCU。MUC采用cortex M4，频率48mhz。LORA射频收发器
960 MHz连续频率覆盖。调制解调器支持LPWAN用例的LoRa调制和传统的（G）FSK调制
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 编辑 深圳芯视音科技向大家推荐
可用于视频矩阵解决方案的新IC-CV1860 这款芯片内置3路10bit高达165Msps的ADC
个梦想：实现代码直接下载到硬件，但在当时我们并不清楚如何将其变为现实??”[hide]LabVIEW硬件对象之连连
料 上海雷卯推出LC0518MA专对于为HDMI接口及Display Port输入/输出(IO)提供全功能集成ESD保护器件而设计。此器件采用创新及节约空间的封装
高效率异步升压IC主要特征：效率高达92%低电压启动:4.1 V关断电流:50μA输入电压:8 V ~ 12 V输出电压:8 V ~ 19 V470 kHz或865 kHz带输出
1997年开始到现在IBM所采用的十大新技术。1.铜芯片(Copper)，1997
集芯作为移动电源芯片领域的佼佼者，产品以稳定性很高，性能好价格低而在业界出名；目前英集芯集继首款
LVDS TO HDMI的桥接芯片，2 port LVDS输入，支持10bit lvds输入，支持De-SSC，可帮客户过EMI，最高时钟可达
HDMI TO LVDS的桥接芯片，HDMI 2.0输入，支持6.0Gbps/信道容量，最高支持18Gb/s，完全兼容MHL2.2、HDMI 1.4b
HDMI TO LVDS的桥接芯片，HDMI 2.0输入，支持6.0Gbps/信道容量，最高支持18Gb/s，完全兼容MHL2.2、HDMI 1.4b
通用型 1T 8051 Core MCU。在同样的系统时钟下，比传统的 8051 运行更快速，性能更优越，指令代码完全兼容传统的 8051。MS8005F
摄像头的问题，后来发现是和bus number有关。分析：分析发现，两
CC(恒流)模式的PWM升压IC,3-4.2V升5V恒流模式，适用于锂电池（3～4.2V）输出5V,1A的移动电源应用。封装为SOT23-6,工作频率为1MHZ,可搭配3.3uh
的昂贵，而消费环境是多变的，大屏价格也会降低。渐渐地三星液晶拼接屏成为各大商业中心的
璀璨明珠，增加来往的客流量。艾丽视工作人员提醒你走到哪个角落，都会注意
产品，被大范围的应用于智能家居、物联网、便携医疗、个护健康、人机接口等典型无线
款超低功耗、高性能和极高集成度的蓝牙v4.0低能耗(BLE)解决方案， BLE902A是目前全球集成度最高的蓝牙BLE
宽电压范围输出 输入端精确限流的DCDC升压芯片SY7210 输入功率有限如何设计带保护的DCDC升压电路 推荐
芯片满足移动电源所以的功能，更简洁的外围，更少的BOM成本·集成了电量显示等原依赖于MCU实现功能
量产超结MOS（可替代英飞凌coolmos）大家好！我司是国内专业设计大功率MOS器件的公司。现我司已经实现了SJ-MOS的量产，可替代英飞凌的coolmos。这是我公司的网址
传统认知中，人工智能（AI）相关的深度学习应用，只有算力充沛的MPU或者是PC才能玩得转。可你是否想过，在
寄存器开发手册，然后又想着能不能再简单点的写代码，于是乎又是刷Bootloader,又是全网搜教程，最后高呼点个
如何去实现IEEE 802.16a/d/e WirelessMAN？如何去设计
RGB LED灯珠实现三色跑马灯效果。建议在在看本文之前，先详细看下RVB2601资源。本例程名为ch2601_marquee_demo，能够最终靠CDK直接
OCC拉取。2.硬件配置三色LED通过PIN引脚 PA7、PA25、PA4与CH2601主芯片GPIO...
面向市场，大约3~6个月时间。然后以蓝牙为代表的射频技术，与MCU微控制器的设计制造应用流程有诸多不同：开发
代替TPS71501的,现在主要是这颗太贵,TI的供货也有问题,所以想换掉.当然改这部分电路简单,但我想找
代替TPS71501的,现在主要是这颗太贵,TI的供货也有问题,所以想换掉.当然改这部分电路简单,但我想找
代替TPS71501的,现在主要是这颗太贵,TI的供货也有问题,所以想换掉.当然改这部分电路简单,但我想找
超薄贴片整流桥b7物料，asemi***的，质量怎么样呀？有谁用过吗？
超薄贴片整流桥b7物料，asemi***的，质量怎么样呀？有谁用过吗？赵大只
DCDC芯片应该测试哪些参数：纹波、电源效率和动态响应。1）纹波测量方法：示波器偶合方式选择AC；示波器探头的接地也不能
亮。代码如下：led.h[C] 纯文本查看 复制代码#ifndef __LED_H#define
充满电压可设定的单节锂电池充电IC 可做4.25 4.3 4.35使用YB4052设计非标准4.2V电压锂电池充电器 电池电压不是4.2V电池存在反接情况 如何设计可以防电池反接的可调电压
芯片设计具有多种保护功能的电池保护电路锂电池如何设计保护电路，如何明智的选择合适的芯片方案 目前锂电池由于其高容量和日益低廉的价格已经在各种便携式产品上
1”讲师背景：阎如斌老师毕业于慕尼黑工业大学的硕士研究生，有很丰富的IC研发经验。在集成电路的从业10多年之久，同时也是叩持电子和IC修线
本人是做灯具产品的，最近有人向我推荐了SM2091E芯片，表示这款芯片可以以
本人是做灯具产品的，最近有人向我推荐了SM2091E芯片，表示这款芯片可以以
ARM架构的处理器，主要受限于整机的价格，所以主处理器的价格 1K订单量，单价小于等于5美金，对应主处理的要求我详细列在下面。根据我的规格要求，诚意求推荐，有销售或者
RGB转HDMI的芯片，或者是LVDS转HDMI的芯片。或者是LVDS对接DVI接口的方案。感谢！！！！！！！！！！
RGB转HDMI的芯片，或者是LVDS转HDMI的芯片。或者是LVDS对接DVI接口的方案。最好有详细的数据手册。感谢！！！！！！！！！！
level shifter 输入电压20v,输出最低--7v,封装BGA,30个脚位，体积2.5X体积2.5X2.0mm,求推荐
LED灯吗？51单片机，yyds！不多说，直接抽奖送75块！兴趣爱好如果你对
圆圆的汤圆，有白色糯米味的、有紫薯味的、还有黄色小米味的，五彩斑斓的颜色，就像生活
电时，IP6808终止电力传输。此外，片内还集成全桥驱动电路，包括电压和电流双向ASK解调模块，以及输入过压/电流保护和FOD模块。应用领域由于英集芯IP6808它是
(System On Chip)以及 SiP(System In Packet)。但要将不同芯片整合在
兼容WPCv1.2协议的7.5W/10W无线充电发射控制器。英集芯IP6808通过Qi v1.2.4认证英集芯IP6808是
芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用
fail的地址不相同。想请教大家这种偶然能测试通过的情况该如何分析？
现在有两对串口 TXD,RXD共4路信号，他们是1.8伏的，需要转成3.3伏的，问用
4.2V1A linear Charge,工作时候的温度在-40 to 85，需要是TI的主推型号
本文将手把手教你如何基于ARM DesignStart计划，在FPGA上搭建一个Cortex-M3软核处理器。 以Xilinx Artix-7系列FPGA为例，介绍如何定制