电镀铜办法、用于电镀铜办法的含磷铜阳极、及用所述和阳极电

  专利称号：电镀铜办法、用于电镀铜办法的含磷铜阳极、及用 所述办法和阳极电镀的粒子附着少的半导体晶片

  专利类型：发明专利 发明人：冈部岳夫,相场玲宏,关口淳之辅,宫下博仁,泽村一郎 申请号：CN02801522.3 申请日：20020711 揭露号：CN1529774 A 揭露日：2004 0915

  申人：株式会社日矿资料 地址：日本东京 国籍：JP 署理组织：华夏信达知识产权署理有限责任公司 更多信息请下载全文后检查

  摘要：本发明触及电镀铜办法，其特征是，进行电镀铜时运用含磷铜作为阳极，且运用下面的 阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为 10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至 1500μm。本发明供给一种电镀铜办法和用于这一电镀铜办法的含磷铜阳极，该办法可抑制粒子的产 生，如电镀浴中阳极一侧所发生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并触及用前述办法和阳极 电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。